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可靠性試驗是為了確定已通過可靠性鑒定試驗而轉入批量生產的產品在規定的條件下是否達到規定可靠性要求，驗證產品的可靠性是否隨批量生產期間工藝，工裝，工作流程，零部件質量等因素的變化而降低。只有經過這些試驗檢測，產品性能才是可以信任，產品質量才是過硬的。
電子產品的可靠性試驗分類就很多，往下將介紹部分試驗條件。
一、環境試驗：部分可靠性專著把樣品置于自然或人工模擬的儲存、運輸和工作環境中的試驗統稱為環境試驗，是考核產品在各種環境（振動、沖擊、離心、溫度、熱沖擊、潮熱、鹽霧、低氣壓等）條件下的適應能力，是評價產品可靠性的重要試驗方法之一。一般主要有以下幾種：
（ 1）穩定性烘培，即高溫存儲試驗；
試驗目的：在不施加電應力的情況下，高溫存儲對產品的影響。有嚴重缺陷的產品處于非平衡態，是一種不穩定態，由非平衡態向平衡態的過渡過程既是引發有嚴重缺陷產品失效的過程，也是促使產品從非穩定態向穩定態的過渡過程。這種過渡一般情況下是物理化學變化，其速率遵循阿倫尼烏斯公式，隨溫度上升指數增加，高溫應力的目的是為了縮短這種變化的時間．所以該實驗又可以視為一項穩定產品性能。
試驗條件：一般選定一恒定的溫度應力和保持時間。微電路溫度應力范圍為75℃至400℃，試驗時間為24h以上。試驗前后被試樣品要在標準試驗環境中，既溫度為25土10℃、氣壓為86kPa~100kPa的環境中放置一定時間。多數的情況下，要求試驗后在規定的時間內完成終點測試。
（2）溫度循環試驗：
試驗目的：考核產品承受一定溫度變化速率的能力及對高溫和低溫環境的承受能力．是針對產品熱機械性能設置的。當構成產品各部件的材料熱匹配較差，或部件內應力較大時，溫度循環試驗可引發產品由機械結構缺陷劣化產生的失效。如漏氣、內引線斷裂、芯片裂紋等。
試驗條件：在氣體環境下進行。主要是控制產品處于高溫和低溫時的溫度和時間及高低溫狀態轉換的速率。試驗箱內氣體的流通情況、溫度傳感器的位置、夾具的熱容量都是保證試驗條件的重要因素。控制原則是試驗所要求的溫度、時間和轉換速率都是指被試產品，不是試驗的局部環境。微電路的轉換時間要求不大于1min在高溫或低溫狀態下的保持時間要求不小于10min；低溫為-55℃或-65-10℃，高溫從85+10℃到300+10℃不等。
（3）熱沖擊試驗
試驗目的：考核產品承受溫度劇烈變化，即承受大溫度變化速率的能力。試驗可引發產品由機械結構缺陷劣化產生的失效．熱沖擊試驗與溫度循環試驗的目的基本一致，但熱沖擊試驗的條件比溫度循環試驗要嚴酷得多。
（4）低氣壓試驗
試驗目的：考核產品對低氣壓工作環境(如高空工作環境)的適應能力。當氣壓減小時空氣或絕緣材料的絕緣強度會減弱；易產生電暈放電、介質損耗增加、電離；氣壓減小使散熱條件變差，會使元器件溫度上升。這些因素都會使被試樣品在低氣壓條件下喪失規定的功能，有時會產生損傷。
試驗條件：被試樣品置于密封室內，加規定的的電壓，從密封室降低氣壓前20min直至試驗結束的一段時間內，要求樣品溫度保持在25+-1.0℃的范圍。密封室從常壓降低到規定的氣壓再恢復到常壓，并監視這‘過程中被試樣品能否正常工作，微電路被試樣品所施加電壓的頻率在直流到20MHz的范圍內，電壓引出端出現電暈放電被視為失效。試驗的低氣壓值是與海拔高度相對應的，并分若干檔．如微電路低氣壓試驗的A檔氣壓值是58kPa，對應高度是4572m，E檔氣壓值是1.1kPa，對應高度是30480m等等。
（5）耐濕試驗
試驗目的：以施加加速應力的方法評定微電路在潮濕和炎熱條件下抗衰變的能力，是針對典型的熱帶氣候環境設計的。微電路在潮濕和炎熱條件下衰變的主要機理是由化學過程產生的腐蝕和由水汽的浸入、凝露、結冰引起微裂縫增大的物理過程。試驗也考核在潮濕和炎熱條件下構成微電路材料發生或加劇電解的可能性，電解會使絕緣材料電阻宰發生變化，使抗介質擊穿的能力變弱。
試驗條件：潮熱試驗有兩種，即文變潮熱試驗和恒定潮熱試驗。交受潮熱試驗要求被試樣品在相對濕度為90％～100％的范圍內，用一定的時間(‘般2．5h)使溫度從25℃上升到65℃，井保持3h以上；然后再在相對濕度為80％一100％的范圍內，用一定的時間(—般2.5 h)使溫度從6s℃下降到25℃，再進行一次這樣的循環后再在任意濕度的情況下將溫度下降到一10 c，并保持3h以上‘再恢復到溫度為25℃，相對濕度等于或大于80％的狀態。這就完成了一次文變潮熱的大循環，大約需要24h。
一般一次耐濕試驗，上述交變潮熱的大循環要進行10次．試驗時被試樣品要施加—定的電壓。試驗箱內每分鐘的換氣量要求大于試驗箱容積的5倍。被試樣品應該是經受過非破壞性引線牢固性試驗的樣品。
（6）鹽霧試驗
試驗目的：以加速的方法評定元器件外露部分在鹽霧、潮濕和炎熱條件下抗腐蝕的能力，是針對熱帶海邊或海上氣候環境設計的．表面結構狀態差的元器件在鹽霧、湘濕和炎熱條件下外露部分會產生腐蝕。
試驗條件：鹽霧試驗要求被試樣品上不同方位的外露部分都要在溫度、濕度及接收的鹽淀積速率等方面處于相同的規定條件。這一要求是通過樣品在試驗箱內放置的相互間的最小距離和樣品的放置角度來滿足的。
試驗溫度：一般要求為(35+-3)'C、在24h內鹽淀積速率為2X104mg／m2~5X104mg／m2。鹽淀積速率和濕度是通過產生鹽霧的鹽溶液的溫度、濃度及流經它的氣流決定的，氣流中氧氣和氮氣比份要與空氣相同。
試驗時間：一般分為24h、48h、96h和240h等。
（7）輻照試驗
試驗目的：考核微電路在高能粒子輻照環境下的工作能力。高能粒子進入微電路會使微觀結構發生變化產生缺陷或產生附加電荷或電流。從而導致微電路參數退化、發生鎖定、電路翻轉或產生浪涌電流引起燒毀失效。輻照超過某一界限會使微電路產生損傷。
試驗條件：微電路的輻照試驗主要有中子輻照和γ射線輻照兩大類。又分總劑量輻照試驗和劑量率輻照試驗。劑量率輻照試驗都是以脈沖的形式對披試微電路進行輻照的。在試驗中要依據不同的微電路和不同的試驗目的嚴格控制輻照的劑量串和總劑量。否則會由于輻照超過界限而損壞樣品或得不到要尋求的閩值。輻照試驗要有防止人體損傷的安全措施。
